沉淀二氧化硅（白炭黑）表面的隔離羥基和相鄰羥基，在存放過程中，接觸水蒸氣就會改變濃度。其中隔離羥基不變化，說明在生產過程中生成的隔離羥基是穩定的，而相鄰羥基會逐漸增多，個現象也可以用楊格的機理來解釋，即在高溫下形成了某些含有'內應力'的硅—氧—硅鍵，它可吸水打開而形成更多的相鄰羥基。

　　X—射線衍射也證明了二氧化硅（白炭黑），在常溫~700℃溫范圍內，加熱不會改變其無定形結構，大雨700℃時開始出現向結晶結構變化，至800℃就完全變為低溫型方英石的結晶。